分辨率

二次電子分辨率：0.8nm@15kV（SE），1.5nm@1kV（SE），      背散射電子分辨率：2.5nm@30kV（BSE）

放大倍數(shù)

底片放大倍率范圍≥1X-3000000X,光學(xué)放大≥100倍

電子槍

肖特基熱場(chǎng)發(fā)射電子槍

加速電壓

20V～30kV，連續(xù)可調(diào)

自動(dòng)調(diào)整功能

自動(dòng)對(duì)中、聚焦、亮度、對(duì)比度、消像散

探測(cè)器

高真空二次電子探測(cè)器、背散射電子探測(cè)器、紅外CCD，束流測(cè)量裝置，光學(xué)導(dǎo)航

真空系統(tǒng)

樣品臺(tái)

五軸全自動(dòng)優(yōu)中心樣品臺(tái)，真空內(nèi)置電機(jī)，

樣品臺(tái)行程： X≥150mm, Y≥150mm, Z≥60mm，

                       T≥-5°～+75°,  R=360°。

能譜儀

探測(cè)器：硅漂移探測(cè)器

有效晶體面積：30mm2

元素探測(cè)范圍：B(5) ~ Cf(98)

分辨率：Mn Kα≤129eV @100,000cps

較大輸入計(jì)數(shù)率   >1,000,000cps

定量分析計(jì)數(shù)率   >100,000cps

1個(gè)探測(cè)器，2個(gè)圖像通道

圖像分辨率：最大8K（可調(diào)節(jié)）

X射線掃描分辨率：最大8K

應(yīng)用定性及定量分析方法

具有圖譜采集功能

濺射儀

離子濺射儀工作原理：磁控濺射

可選靶材：金，鉑，金鈀合金，鉛，銀，銅，鉻，銻等

全自動(dòng)操作，簡(jiǎn)單易用，非常適用鎢燈絲、臺(tái)式掃描電鏡等

濺射電流自動(dòng)調(diào)整——設(shè)定濺射電流后，系統(tǒng)自動(dòng)調(diào)節(jié)真空度，從而達(dá)到設(shè)定的濺射電流，調(diào)整時(shí)間＜5s，波動(dòng)范圍＜±5%；

無需按“實(shí)驗(yàn)”鍵調(diào)整濺射電流、無需操作“進(jìn)氣閥”。

真空室：φ128×100高硅硼玻璃

濺射時(shí)間自動(dòng)記憶——同類樣品一次設(shè)定即可；

參數(shù)改變自動(dòng)調(diào)整——濺射過程中可以隨時(shí)調(diào)整濺射電流和濺射時(shí)長(zhǎng)，系統(tǒng)自動(dòng)計(jì)算疊加，無需終止濺射過程；

工作完成自動(dòng)放氣；

樣品臺(tái)高度調(diào)節(jié)1秒完成；

濺射過程可以利用曲線顯示，清晰直觀。

極限真空：小于1Pa

軟硬件互鎖，防誤操作，安全可靠

濺射電流高于50mA，停止濺射過程；

真空泵工作時(shí)，系統(tǒng)無法進(jìn)行放氣操作；

鍍層均勻，導(dǎo)電性良好

探測(cè)器